Παρουσίαση/Προβολή

(TMA477) -  Δήμητρα Γκιργκινούδη

Περιγραφή Μαθήματος

Σκοπός-μαθησιακά αποτελέσματα-περίγραμμα ύλης

Η κατανόηση της λειτουργίας ειδικών και κυρίως προηγμένων ημιαγωγικών διατάξεων υψηλής ταχύτητας από σύνθετους ημιαγωγούς (SiGe, GaAs, AlGaAs, InP) μέσω της αναλυτικής περιγραφής των παρατηρούμενων φυσικών διεργασιών και των λειτουργικών χαρακτηριστικών με απώτερο σκοπό την υλοποίηση κυκλωμάτων υψηλής ταχύτητας <high-speed circuits> και χαμηλής κατανάλωσης ισχύος.

Απόκτηση τεχνογνωσίας και εκπαίδευση ικανή για έρευνα και ανάπτυξη σε εξειδικευμένα επιστημονικά θέματα Μικροηλεκτρονικής.

                                                  Περίγραμμα ύλης

Ετεροεπαφή, Δίοδος Schottky, Δίοδος Σήραγγας, Δίοδος συντονισμού σήραγγας, Δίοδος Χιονοστοιβάδας, MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor), HBT (Hetero Bipolar Transistor ή HEMT-High Electron Mobility Transistor), SOI (Silicon on Insulator) και TFT (Thin Film Transistor).

Ειδικότερα ο φοιτητής σχεδιάζει τη δομή, κατανοεί τις φυσικές διεργασίες, μελετά τα θεωρητικά μοντέλα και τα DC χαρακτηριστικά, καθώς και τα RF χαρακτηριστικά, προσομειώνει τη λειτουργία των ημιαγωγικών διατάξεων με χρήση εκπαιδευτικών λογισμικών, αποκτά τεχνογνωσία στην τεχνολογία υλοποίησης κυκλωμάτων για διάφορες εφαρμογές με βάση :

τα διπολικά τρανζίστορ ετεροεπαφής (Heterojunction Bipolar Transistor, HBT), τα προηγμένα τρανζίστορ FET, όπως τα MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) και τα τρανζίστορ HFET(Heterojunction Field Effect Transistor High Electron Mobility Transistor-HEΜT).

Για να κατανοήσει σε βάθος τα παραπάνω ο φοιτητής, μελετά τις διόδους Schottky (επαφή μεταξύ μετάλλου και ημιαγωγού) και τις ετεροεπαφές-Heterojunctions (επαφή μεταξύ δύο διαφορετικών ημιαγωγών, π.χ. SiGe/Si).

Επιπρόσθετα ο φοιτητής αποκτά γνώσεις στην τεχνολογία SOI (Silicon on Insulator) για την υλοποίηση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με μεγαλύτερη ταχύτητα και χαμηλότερη κατανάλωση ισχύος σε σχέση με τα κυκλώματα τεχνολογίας C-MOS. Τέλος εξοικειώνεται σε κβαντομηχανικά φαινόμενα, κβαντομηχανικές ημιαγωγικές διατάξεις (δίοδος tunnel και δίοδος resonant tunneling) και εφαρμογές τους.

Ημερομηνία δημιουργίας

Παρασκευή 3 Οκτωβρίου 2014